9月19日，英諾賽科蘇州第三代半導體基地舉行設備搬入儀式。這意味著(zhù)英諾賽科蘇州第三代半導體基地開(kāi)始由廠(chǎng)房建設階段進(jìn)入量產(chǎn)準備階段，標志著(zhù)全球最大氮化鎵工廠(chǎng)正式建設完成，同時(shí)也標志著(zhù)中國半導體創(chuàng )新史步入一個(gè)新紀元。

該項目建成后將成為全球最大的集研發(fā)、設計、外延生產(chǎn)、芯片制造、測試等于一體的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺，滿(mǎn)產(chǎn)后將實(shí)現月產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓65000片，產(chǎn)品將為5G移動(dòng)通信、數據中心、新能源汽車(chē)、無(wú)人駕駛、手機快充等戰略新興產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng )新發(fā)展提供核心電子元器件。

英諾賽科蘇州第三代半導體基地位于江蘇省蘇州市吳江區汾湖高新區，總占地24.5萬(wàn)平方米，屬于江蘇省重點(diǎn)項目，一期投資總額超60億元人民幣。項目預計今年年底進(jìn)入試生產(chǎn)階段。

英諾賽科相關(guān)負責人表示，氮化鎵功率芯片量產(chǎn)線(xiàn)的通線(xiàn)投產(chǎn)，填補了我國高端半導體器件的產(chǎn)業(yè)空白，同時(shí)也意味著(zhù)制約我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)瓶頸得到突破。

關(guān)于英諾賽科：

英諾賽科于2015年底成立，是一家專(zhuān)業(yè)從事第三代半導體硅基氮化鎵芯片開(kāi)發(fā)與制造的企業(yè)，成立至今先后引進(jìn)了近百名國際一流知名半導體企業(yè)的頂尖人才，組建國際一流半導體研發(fā)團隊，開(kāi)展自主研發(fā)工作，形成了自主可控核心技術(shù)，并已申請290余項國內外核心專(zhuān)利。